Görsel mevcut değil
JANSL2N3439UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSL2N3439UA Hakkında
JANSL2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu transistör, 1A maximum collector akımı ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 40'dır (20mA, 10V'ta). Düşük saturation voltajı (500mV @ 50mA) sayesinde anahtar uygulamalarında etkin bir şekilde çalışır. Analog amplifikasyon, güç anahtarlama ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V