Görsel mevcut değil
JANSF2N5154U3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSF2N5154U3 Hakkında
JANSF2N5154U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik ve radyasyon toleransı için tasarlanmıştır. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı tasarımı sayesinde, endüstriyel, havacılık ve uzay uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) değeri 2.5A akımda 70'dir. Düşük saturasyon voltajı (1.5V @ 500mA) ile verimli anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V