1.500₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsiz.

Görsel mevcut değil

JANSF2N5154U3

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANSISTOR RH POWER BJT
Ürün Ailesi
2N5154

JANSF2N5154U3 Hakkında

JANSF2N5154U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik ve radyasyon toleransı için tasarlanmıştır. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı tasarımı sayesinde, endüstriyel, havacılık ve uzay uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) değeri 2.5A akımda 70'dir. Düşük saturasyon voltajı (1.5V @ 500mA) ile verimli anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Ürün Ailesi

2N5154 Tüm Varyantları Gör