Görsel mevcut değil
JANSF2N3700
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSF2N3700 Hakkında
JANSF2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, TO-18 metal kaplı through-hole paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı, 500mW maksimum güç dissipasyonu ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 10nA collector cutoff akımı ve 500mV saturation voltajı ile düşük kaçak akıma ve etkili açık-kapalı modülasyonuna sahiptir. Analog sinyal işleme, low-frequency amplifier devreleri ve kontrol sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V