Görsel mevcut değil
JANSF2N2907AUB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSF2N2907AUB Hakkında
JANSF2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount 3-SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimiyle, 100 V/A minimum DC akım kazancı ve 60V yıkılma gerilimi özelliklerine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sunar. Vce doyum gerilimi maksimum 1.6V (50mA/500mA koşullarında) olup, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Collector cutoff akımı 50nA'nın altında kalması, düşük sızıntı akımı gerektiren hassas devreler için uygun kılmaktadır. Endüstriyel ve askeri sertifikasyon gereksinimleri olan uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
3-SMD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V