Görsel mevcut değil
JANSF2N2907A
JANSF2N2907A Hakkında
JANSF2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, Through Hole montajlı TO-18 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Bu transistör, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerinde (150mA akımda, 10V'da) belirtilmiştir. Sürüleme uygulamalarında, ses frekansı amplifikasyonunda ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılan orta güç transistörüdür. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ile +200°C arası) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
