Görsel mevcut değil
JANSD2N3700UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Ürün Ailesi
- JANSD2N3700
JANSD2N3700UB/TR Hakkında
JANSD2N3700UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi small-signal bipolar junction transistör (BJT) komponenttir. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A collector akımı ve 500mW güç tüketimi özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 100 minimum DC current gain değerleriyle sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, bu bileşeni uzay ve askeri uygulamalar dahil olmak üzere çeşitli ortamlarda kullanılmasını mümkün kılar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V