Görsel mevcut değil
JANSD2N3636UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSD2N3636UB Hakkında
JANSD2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip bipolar transistördür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarından orta güç seviyesi devrelerine kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. -65°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 1.5W güç sınırlaması ve 175V Vce(BR) diyagonal çıkış ile güvenilir performans sağlar. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal yönetimi uygulamalarında tercih edilir. DC Current Gain (hFE) minimum 50 değeri ile belirlenmiş olup, 50mA collector akımında 10V Vce'de ölçülmüştür. Vce doyum voltajı 600mV'tir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V