Görsel mevcut değil
JANSD2N3636L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSD2N3636L Hakkında
JANSD2N3636L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole montaj için TO-205AA (TO-5-3) metal kasa paketine sahiptir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 175V Collector-Emitter breakdown voltajı, 600mV saturasyon voltajı (5mA/50mA) ve minimum 50 DC akım kazancı (hFE) ile karakterizedir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kurulum sonrası endüstri uygulamaları, sinyel anahtarlama ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V