Görsel mevcut değil
JANSD2N3636
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSD2N3636 Hakkında
JANSD2N3636, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kasa paketinde sunulmaktadır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, maksimum 175V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC akım kazanç değeri 50mA kolektör akımında ve 10V Vce'de minimum 50'dir. 600mV maksimum doyum gerilimi ile düşük seviyelerde çalışan anahtarlama uygulamalarında ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kolayca uygulanabilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V