Görsel mevcut değil
JANSD2N3501UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSD2N3501UB/TR Hakkında
JANSD2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal silikon bipolar junction transistördür. Surface mount 3-SMD gövdede paketlenmiş bu bileşen, 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 300mA kolektör akımı, 150V kolektör-emitör bozulma gerilimi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile tanımlanır. 150mA, 10V koşullarında minimum 100 DC akım kazancı (hFE) sağlar. Satürasyonda 400mV maksimum VCE değeri ile karakterize edilir. Anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve düşük güçlü lojik devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V