Görsel mevcut değil
JANSD2N3440UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSD2N3440UA Hakkında
JANSD2N3440UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 1A maksimum collector akımı ve 250V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç dissipasyonu, 40 minimum DC current gain (hFE) ve 500mV saturation voltajı ile switche ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel, askeri ve havacılık uygulamaları için uygun olan JANSD serisine aittir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V