Görsel mevcut değil
JANSD2N3439UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSD2N3439UA Hakkında
JANSD2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistöründür. Surface mount (SMD) paketinde sunulan bu bileşen, 1A maximum collector akımı, 40 minimum DC current gain (hFE) ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 800mW güç sınırlaması ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gerilim düzenleyicileri, anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Darbe yüklemeli uygulamalara uygun karakteristiklere sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V