Görsel mevcut değil
JANSD2N2907A
JANSD2N2907A Hakkında
JANSD2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük-sinyal bipolar junction transistördür (BJT). TO-18 metal kutu paketi ile sunulan bu transistör, maksimum 600mA kolektör akımı ve 60V collector-emitter gerilimi ile çalışmaktadır. 500mW güç tüketimine kadar dayanıklı bir tasarımda, -65°C ile 200°C arasında işletilme sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Gerilim amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, sinyal işleme uygulamaları ve ses frekansı amplifikatörleri gibi genel amaçlı analog ve dijital elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kesme akımı ve 100 (minimum) DC akım kazancı, hassas kontrol gerektiren uygulamalar için uygun bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
