Görsel mevcut değil
JANSD2N2369AUB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSD2N2369AUB/TR Hakkında
JANSD2N2369AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikalı (RH - Radiation Hardened) NPN bipolar junction transistördür. Küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 20V maksimum Vce breakdown voltajı, 400mW güç tüketimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ile karakterizedir. DC akım kazancı (hFE) 40 (minimum) olup, 10mA kolektör akımında ve 1V Vce'de ölçülmüştür. 450mV maksimum saturasyon voltajı ile düşük sinyal kaybı sağlar. Surface mount 3-SMD (No Lead) paketinde sunulan bu transistör, silikon tabanlı devrelerde switch, amplifikatör ve darbe şekillendirme uygulamalarında kullanılır. Radyasyon toleranslı yapısı, uzay ve askeri uygulamalar için uygun hale getirir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V