Görsel mevcut değil
JANS2N5666S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANS2N5666S Hakkında
JANS2N5666S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj tipi ile kalıcı devre tasarımlarında kullanılır. 200V kollektör-emitter diyelectric gerilimi, 1.2W maksimum güç disipasyonu ve -65°C ile 200°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun tasarımlanmıştır. TO-39 metal kasa paketi, güvenilir ısıl yönetimi sağlar. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1V doyum gerilimi, güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanım için uygun parametreler sunar. Uydu, harita, tıbbi ve otomasyon elektronikleri gibi hassas uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V