Görsel mevcut değil
JANS2N5339
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANS2N5339 Hakkında
JANS2N5339, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, 100V Vce breakdown voltage ve 1W maksimum güç yayma kapasitesi ile karakterize edilir. 60 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir ve -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1.2V maksimum Vce saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V