Görsel mevcut değil
JANS2N2907AUB
JANS2N2907AUB Hakkında
JANS2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Surface mount (4-SMD, No Lead) pakette sunulan bu transistör, maksimum 500mW güç yayılımı kapasitesine ve 60V collector-emitter çökme gerilimi ile karakterizedir. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında, 10V Vce'de minimum 100'dür. -65°C ile 200°C (junction sıcaklığı) arasında çalışır. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde, RF uygulamalarında ve ses frekans uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. JANS serileri, uydu ve uzay endüstrisindeki kalite gereklilikleri için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
