Görsel mevcut değil
JANKCDR2N5154
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANKCDR2N5154 Hakkında
JANKCDR2N5154, Microchip Technology tarafından üretilen RH Power NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir üretim komponentidir. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, 2A'ya kadar maksimum kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. Maksimum 1W güç derecelemesine sahip olan komponent, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 70 minimum DC akım kazancı (hFE), 1.5V saturasyon voltajı ve 50µA maksimum kolektör kesim akımı özellikleriyle, güç yönetimi, anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V