Görsel mevcut değil
JANKCDR2N5152
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANKCDR2N5152 Hakkında
JANKCDR2N5152, Microchip Technology tarafından üretilen TO-39 metal kutu paketinde yüksek sıcaklık uyumlu NPN bipolar junction transistörüdür. 2A maksimum kolektör akımı, 1W güç yeteneği ve -65°C ile 200°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve havacılık uygulamalarında kullanılır. 80V maksimum Vce breakdown voltajı ile orta-güç anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. TO-205AD (TO-39-3) paketage sahip olan komponent, güvenilir through-hole montajını destekler ve uzun ömürlü uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V