Görsel mevcut değil
JANKCCR2N5153
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANKCCR2N5153 Hakkında
JANKCCR2N5153, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-39 metal can paketinde sunulmaktadır. 2A maksimum collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. DC current gain değeri 2.5A akım ve 5V voltajda 70 minimum değerdedir. Through-hole montaj tipi ile konvansiyonel PCB tasarımlarında yer alır. Endüstriyel elektronik, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V