2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANKCCF2N5153 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANKCCF2N5153

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANSISTOR RH POWER BJT

JANKCCF2N5153 Hakkında

JANKCCF2N5153, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon korumalı (RH) PNP bipolar junction transistördür. TO-39 metal kutu paketi ile sunulan bu komponent, 2A maksimum kollektor akımı ve 80V reverse bias breakdown voltajı özelliklerine sahiptir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimlenmektedir. Uydu haberleşme, uzay uygulamaları ve radyasyon ortamlarında çalışan yüksek güvenilirlikli elektronik sistemlerde tercih edilir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V