Görsel mevcut değil
JANKCBR2N5004
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT TRANSISTOR
JANKCBR2N5004 Hakkında
JANKCBR2N5004, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, stud mount paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2W güç harcaması ile düşük güç uygulamalarında kullanıma elverişlidir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ortamlarda ve geniş sıcaklık koşullarında çalışabilen bir bileşendir. 70 minimum DC current gain (hFE) ve 1.5V saturation voltajı ile anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı devre tasarımlarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Stud Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V