Görsel mevcut değil
JANKCBR2N3700
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANKCBR2N3700 Hakkında
JANKCBR2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tip küçük sinyal bipolar junction transistörüdür. TO-18 metal kotta sunulan bu komponent, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışır. 100 minimum DC akım kazancı (hFE), 500mV maksimum doyum gerilimi ve 10nA maksimum collector kesim akımı ile düşük sızıntı karakteristiğine sahiptir. Bu transistör, radyasyon sertifikasyon için optimize edilmiş JAN sınıfı bileşen olarak kritik uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V