Görsel mevcut değil
JANKCBR2N3440
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANKCBR2N3440 Hakkında
JANKCBR2N3440, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikasyonlu (RH - Radiation Hardened) NPN bipolar junction transistördür. TO-39 metal kapa paketinde sunulan bu komponent, düşük sinyal uygulamalarından orta güç seviyesi devrelerine kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. Maksimum 1A kolektör akımı, 250V kırılma gerilimi ve 800mW güç dağıtabilme kapasitesi ile analog anahtarlama, sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve güç kontrolü uygulamalarında çalıştırılabilir. -55°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletilmesi, özellikle uzay ve radyasyon ortamlarında kullanım için uygun kılmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V