Görsel mevcut değil
JANKCBR2N3439
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANKCBR2N3439 Hakkında
JANKCBR2N3439, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir power BJT transistördür. TO-39 metal can paketinde sunulan bu komponent, 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1A maksimum collector akımı kapasitesi ve -55°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde, endüstriyel ve askeri uygulamalarda güvenilir bir seçenek sunar. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarında kolayca integre edilebilir. Amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V