Görsel mevcut değil
JANKCBR2N2907A
JANKCBR2N2907A Hakkında
JANKCBR2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi small-signal bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-18 metal can paketinde sunulmaktadır. Maksimum 600 mA kolektör akımı, 500 mW güç dağıtımı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile karakterize edilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 60V kolektör-emitter gerilim yıkılması değerleri, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Low-noise preamplifier, genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
