Görsel mevcut değil
JANKCBR2N2906A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANKCBR2N2906A Hakkında
JANKCBR2N2906A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal bipolar junction transistörlüdür (BJT). TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA kolektör akımı ve 60V kırılma gerilimi ile karakterizedir. 500mW güç kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 (150mA, 10V koşullarında) olup, düşük kesme akımı (50nA) ve kontrollü doyum gerilimi (1.6V @ 50mA, 500mA) özellikleriyle ses frekansı ve RF amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through hole montaj tipi ile eski nesil tasarımlar ve prototipleme çalışmalarında sıkça görülür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V