Görsel mevcut değil
JANKCB2N5004
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT TRANSISTOR
JANKCB2N5004 Hakkında
JANKCB2N5004, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, stud mount paketinde sunulmaktadır. Die form faktörlü bu transistör, maximum 2W güç disipasyonuna ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 50µA collector cutoff akımı, 5A collector akımında 70 minimum DC current gain (hFE) ve 80V breakdown voltajı özellikleriyle avionic ve askeri uygulamalar için tasarlanmıştır. 1.5V maksimum saturation voltajı ile düşük güç kayıplı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type
Stud Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V