Görsel mevcut değil
JANKCB2N2907A
JANKCB2N2907A Hakkında
JANKCB2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal BJT transistördür. Maximum 600mA collector akımı ve 500mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 60V maximum collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) minimum 100'dür (150mA, 10V koşullarında). TO-18 metal kasa ile monte edilir ve -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. Eski cihazların onarımlarında ve analog devrelerin tasarımında tercih edilen kaliteli bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
