2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANHCD2N5152 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANHCD2N5152

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANSISTOR POWER BJT

JANHCD2N5152 Hakkında

JANHCD2N5152, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi güç BJT transistörüdür. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2A kolektor akımı ve 80V kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve anahtar devrelerde tercih edilir. -65°C ile +200°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. Minimum 30 DC akım kazancı (hFE) ile kararlı amplifikasyon sağlar.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V