Görsel mevcut değil
JAN2N6341
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N6341 Hakkında
JAN2N6341, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 paketinde sunulan bu transistör, 200W maksimum güç yeteneğine sahiptir. 150V maksimum Vce breakdown voltajı ve 1.8V saturation voltajı ile anahtarlama ve güç amplifikasyon işlemlerinde yer alır. -65°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Motorlar, solenoidler ve diğer yüksek akım gerektiren yükler için sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 2.5A, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V