Görsel mevcut değil
JAN2N6308
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 8A TO3
JAN2N6308 Hakkında
JAN2N6308, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek gerilim NPN BJT transistördür. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç amplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile +200°C arası) sayesinde ekstremal ortamlarda güvenilir performans sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
12 @ 3A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-204AA (TO-3)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 2.67A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V