Görsel mevcut değil
JAN2N6212
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N6212 Hakkında
JAN2N6212, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-66 (TO-213AA) through-hole paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300V collector-emitter breakdown voltajı ile çeşitli endüstriyel ve askeri elektronik devrelerinde, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında yer almaktadır. Maksimum 1A collector akımı ve 3W güç disipasyonu kapasitesine sahip olan komponent, -55°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında sorunsuz çalışır. 1.6V saturation voltajı ve minimum 30 hFE DC current gain değerleriyle stabil bir anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TA)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V