Görsel mevcut değil
JAN2N5667S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 300V 5A TO39
JAN2N5667S Hakkında
JAN2N5667S, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistördür. TO-39 metal can paketinde sağlanan bu bileşen, 300V collector-emitter breakdown gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.2W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle güç yönetimi, motor kontrolü ve high-voltage anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir ve 1V Vce doyum gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Market
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V