Görsel mevcut değil
JAN2N5666U3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5666U3 Hakkında
JAN2N5666U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-276AA through-hole paketinde sunulan bu transistör, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile karakterize edilir. 40 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olan komponent, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Collector cutoff akımı maksimum 200nA olup, 1V maksimum saturation voltajı ile low-power sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. Endüstriyel ve askeri sertifikasyon gereksinimleri için JAN versiyonu olarak tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-276AA
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
U-3 (TO-276AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V