Görsel mevcut değil
JAN2N5660U3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5660U3 Hakkında
JAN2N5660U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount U3 paketinde sunulan bu bileşen, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 40 değerinde (500mA, 5V koşullarında) belirtilmiştir. Vce saturation voltajı maksimum 800mV'dir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük collector cutoff akımı (200nA) ile karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılan bir komponentin standart versiyonudur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
U3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 400mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V