Görsel mevcut değil
JAN2N5303
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5303 Hakkında
JAN2N5303, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 60V Vce breakdown voltajı ve 20W güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Düşük kolektör akımı uygulamalarına uygun olup, 10µA maksimum collector cutoff akımı ve 650mV saturation voltajı özellikleriyle karakterizedir. -65°C ile 200°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilmektedir. JAN sınıflandırması askeri ve havacılık uygulamalarında güvenilirlik sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 10A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V