Görsel mevcut değil
JAN2N5039
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5039 Hakkında
JAN2N5039, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 140W maksimum güç disipasyonuna sahip olan transistör, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 75V collector-emitter kırılma voltajı ve 2.5V saturation voltajı ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve doğrultucu devrelerinde uygulanır. DC akım kazancı (hFE) minimum 30 değerindedir. Endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım için JAN sertifikasına sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 2A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TA)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
140 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 5A, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
75 V