Görsel mevcut değil
JAN2N5015S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5015S Hakkında
JAN2N5015S, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kutulu paket içerisinde gelen bu bileşen, maksimum 200mA collector akımı, 1000V collector-emitter breakdown voltajı ve 30 minimum DC current gain (hFE) özelliklerine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir ve maksimum 1W güç tüketebilir. Düşük cutoff akımı (10nA ICBO) nedeniyle hassas uygulamalarda tercih edilir. Endüstriyel ve asker uygulamalarında kullanılan JAN sertifikasyon standardını taşır. Bileşen şu anda üretim dışı durumdadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V