Görsel mevcut değil
JAN2N5014S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5014S Hakkında
JAN2N5014S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj türüne sahiptir. Maksimum 200mA kollektör akımı, 900V bozulma voltajı ve 1W güç kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. TO-39 metal kutu paketi ile sunulan bu transistör, özellikle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 20mA, 10V koşullarında minimum 30 değerine sahiptir. Ürün statüsü obsolete olmakla birlikte, uygun uygulamalarda başarılı şekilde kullanılabilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V