Görsel mevcut değil
JAN2N5014
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5014 Hakkında
JAN2N5014, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 900V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile güç devrelerinde, anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılabilir. 200mA maksimum kollektör akımı ve 1W güç derecelendirmesi ile orta seviye güç uygulamalarında yer alır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve askeri uygulamaları destekler. TO-205AA (TO-5) metal kasa paketinde sunulan bu transistor, artık üretilmeyen (obsolete) bir bileşendir ve eski elektronik cihazların onarımında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V