Görsel mevcut değil
JAN2N5013S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5013S Hakkında
JAN2N5013S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mA collector akımı ve 800V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. 30 minimum DC current gain (hFE) ile -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, güç uygulamalarında ve amplifikasyon devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarına uygun olan JAN2N5013S, endüstriyel ve savunma sektörü standartlarına uygun olarak üretilmiştir. Part status obsolete olmakla beraber, eski tasarımların bakım ve onarımında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
800 V