Görsel mevcut değil
JAN2N5012S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5012S Hakkında
JAN2N5012S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kutu paketinde sunulmaktadır. 200mA maksimum kollektor akımı ve 700V collector-emitter breakdown voltajı ile orta düzey güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC current gain (hFE) en az 30 değerindedir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 1W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, kontrol devreleri, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilebilir. Parça durumu itibariyle üretimi durdurulmuş olup, stok kontrol önemlidir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700 V