Görsel mevcut değil
JAN2N5012
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N5012 Hakkında
JAN2N5012, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 200mA maksimum collector akımı ve 700V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan bu transistör, Through Hole montaj türüne sahiptir. TO-5-3 Metal Can paketinde sunulan komponent, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 30 minimum DC Current Gain (hFE) ve 1W maksimum güç disipasyonu karakteristiklerine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında, amplifikasyon devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700 V