Görsel mevcut değil
JAN2N4930
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N4930 Hakkında
JAN2N4930, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). Through Hole montaj tipinde, TO-39 metal kutu paketlemesinde sunulmaktadır. Maksimum 200mA kollektör akımı, 1W güç sınırlaması ve 200V breakdown voltajı ile, anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) askeri ve endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir. DC Current Gain (hFE) minimum 50 değeri, stabil anahtarlama ve güvenilir sinyal işleme sağlar. Eski tasarımlar, kalıp onarımları ve yüksek güvenilirlik gerektiren sistemlerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 30mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V