Görsel mevcut değil
JAN2N3960UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V UB
JAN2N3960UB Hakkında
JAN2N3960UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 12V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 400mW maksimum güç dissipasyonu ve 60 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde çalışır. Surface mount UB paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 300mV saturation voltajı ile düşük kayıp çalışması sağlar. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama, impuls üreteç ve kontrol devrelerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V