Görsel mevcut değil
JAN2N3960
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V TO-18
JAN2N3960 Hakkında
JAN2N3960, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-18 metal kasa paketlemesiyle sağlanan bu komponent, 12V'a kadar Vce darbelenme gerilimi ve 400mW maksimum güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 1V'ta minimum 60 değerine sahiptir. Kolektör kesme akımı maksimum 10µA'dir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, darbe ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve düşük frekanslı RF uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'lere entegre edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V