Görsel mevcut değil
JAN2N3749
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 5A TO111
JAN2N3749 Hakkında
JAN2N3749, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-111-4 stud mount paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 2W maksimum güç derecelendirmesi ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. Minimum 40 DC current gain (hFE) değeri kontrollü amplifikasyon sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) ile endüstriyel ve askeri uygulamalardaki güvenilir performans sunar. Chassis ve stud montajı desteği ile heatsink entegrasyonunu kolaylaştırır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 2V
Mounting Type
Chassis, Stud Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-111-4, Stud
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-111
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V