Görsel mevcut değil
JAN2N3507AU4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N3507AU4 Hakkında
JAN2N3507AU4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount U4 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç tüketimi ve 50V Vce(BR)CEO kırılma gerilimi ile orta-düşük güç uygulamalarına uygundur. 35 minimum DC akım kazancı (hFE), 1.5V saturasyon gerilimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile +200°C) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel sinyal yönetimi uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V