Görsel mevcut değil
JAN2N3506U4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N3506U4 Hakkında
JAN2N3506U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-SMD No Lead paket içinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç tüketimine sahip olan bu komponent, 40V Vce breakdown voltajı ile çalışır. -65°C ile +200°C arasında geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 500mA Ic değerinde 1V Vce koşulunda DC current gain (hFE) değeri minimum 50 olarak belirlenmiştir. 250mA emitter akımı ve 2.5A collector akımında maksimum 1.5V saturation voltajı sağlar. Düşük collector cutoff akımı (1µA) nedeniyle hassas anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Aktif durumda olan bu komponent, endüstriyel ve askeri uygulamalar için JAN sertifikasına sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V